產(chǎn)品名稱：離子注入式半導(dǎo)體探頭

品牌：SARAD

產(chǎn)地：德國

型號：E

德國SARAD離子注入式半導(dǎo)體探頭E介紹：

離子注入式半導(dǎo)探測器E用于α/β能譜測量的離子深度注入硅探測器，作為OEM部件及應(yīng)用于輻射測量儀器。
離子注入式半導(dǎo)體探測器E的特點包括牢固設(shè)計、低本底、并且即使工作在低電壓環(huán)境下依然具有優(yōu)異的光譜性能；僅需10?V偏置電壓，探測器即可將α粒子（**10?MeV）的全部能量沉積在耗盡層內(nèi)；特別為β粒子測量設(shè)計的BS型探頭，其耗盡層深度可達(dá)500?µm。
離子注入式半導(dǎo)體探頭E既可在一般環(huán)境又可在真空條件下精確測量。 入射窗涂有用于保護探頭的50?nm（V型）或500?nm（E型）超薄鋁涂層，鋁涂層更厚的E型探頭特別適合于環(huán)境測量。
離子注入式半導(dǎo)體探頭E采用Microdot接口（工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)），保證了其具有與其它制造商儀器的良好兼容性，可選BNC和SMA接口型。

德國SARAD離子注入式半導(dǎo)體探頭E參數(shù)：

中文內(nèi)容來自機器翻譯，內(nèi)容僅供參考，實際內(nèi)容可參考原廠介紹或以合同為準(zhǔn)。
英文原文：

Ion-implanted silicon detectors for alpha spectroscopy

Key features are the robust design, low background and the outstanding spectroscopic performance even at low bias voltages. Only a 10 volts bias is required to deposit the whole emission energy of an alpha particle (up to 10?MeV) within the depletion layer. The BS types, especially designed for beta detection, provide a depleted region of 500?µm.

All types can be used under ambient conditions as well as in vacuum gauges. The entrance window is protected by an thin aluminium layer with a thickness of 50?nm (type V) or 500?nm (type E). The thicker aluminium of the E type detectors make them especially suitable for ambient light applications.

The detectors are delivered with a Microdot jack (industry standard) to guarantee the full compatibility with other manufacturers. BNC or SMA type jacks are optionally available.

---

提示：“德國SARAD品牌E產(chǎn)品”內(nèi)容及圖片來自廠商官網(wǎng)、翻譯或互聯(lián)網(wǎng)引用等，內(nèi)容僅供參考，以最終簽訂合同為準(zhǔn)，如有差錯或異議可聯(lián)系我們更改。